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安森美半導(dǎo)體8 W數(shù)字至模擬(DTA)轉(zhuǎn)換盒電源參考設(shè)計(jì)
美國將停播模擬電視，為了使傳統(tǒng)的模擬電視機(jī)用戶可以繼續(xù)收看數(shù)字電視，美國國家電信和信息管理局(NTIA)運(yùn)作一個(gè)項(xiàng)目，提供優(yōu)惠券用于支付數(shù)字至模擬(DTA)轉(zhuǎn)換盒的費(fèi)用。本文介紹了安森美半導(dǎo)體8W數(shù)字至模擬(DTA)轉(zhuǎn)換盒電源參考設(shè)計(jì)。
2009-03-12
DTA 數(shù)字電視 模擬電視 安森美半導(dǎo)體 電壓變換 NCP1308 NCP1595
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中國DVD播放機(jī)市場日漸日“清”
2009年3月5日，中國權(quán)威ICT研究與管理咨詢機(jī)構(gòu)賽迪顧問股份有限公司（股票代碼：HK8235）在“2009中國消費(fèi)電子市場年會(huì)”上發(fā)布《2008-2009年中國DVD播放機(jī)市場研究年度報(bào)告》顯示：中國DVD播放機(jī)市場經(jīng)過十多年的風(fēng)雨歷程，已經(jīng)進(jìn)入成熟期。2003年到2006年中國DVD播放機(jī)的銷量雖保持增長，但是增長幅...
2009-03-12
DVD 中國 高清 藍(lán)光 紅光 家電下鄉(xiāng) 步步高 萬利達(dá)
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iSuppli預(yù)測09年LED背光成為面板產(chǎn)業(yè)救世主
據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli預(yù)測，2009年全球LED銷售額可望逆勢成長2.9%，增幅雖低于2008年的10.8%，但表現(xiàn)仍遠(yuǎn)優(yōu)于其它銷售額驟減的電子零組件產(chǎn)品類別。2009年，LED在背光領(lǐng)域的增長主要集中在液晶電視、筆記本電腦，特別是Netbook上的應(yīng)用。
2009-03-12
LED背光 面板 液晶電視 筆記本 上網(wǎng)本
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USB 3.0測試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測試儀器
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USB 3.0測試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測試儀器
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USB 3.0測試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測試儀器
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開關(guān)
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開關(guān)
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開關(guān)
- 機(jī)構(gòu)預(yù)警：DRAM價(jià)格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲(chǔ)原廠加速擴(kuò)產(chǎn)供應(yīng)HBM
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