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歐盟批準(zhǔn)松下收購(gòu)三洋需剝離電池業(yè)務(wù)
歐盟委員會(huì)29日決定,批準(zhǔn)日本松下電器收購(gòu)三洋電機(jī),但前提條件是兩家企業(yè)合并后必須出售在歐洲的部分電池生產(chǎn)業(yè)務(wù),以消除競(jìng)爭(zhēng)擔(dān)憂。
2009-10-12
歐盟 松下 收購(gòu) 三洋
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歐盟批準(zhǔn)松下收購(gòu)三洋需剝離電池業(yè)務(wù)
歐盟委員會(huì)29日決定,批準(zhǔn)日本松下電器收購(gòu)三洋電機(jī),但前提條件是兩家企業(yè)合并后必須出售在歐洲的部分電池生產(chǎn)業(yè)務(wù),以消除競(jìng)爭(zhēng)擔(dān)憂。
2009-10-12
歐盟 松下 收購(gòu) 三洋
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歐盟批準(zhǔn)松下收購(gòu)三洋需剝離電池業(yè)務(wù)
歐盟委員會(huì)29日決定,批準(zhǔn)日本松下電器收購(gòu)三洋電機(jī),但前提條件是兩家企業(yè)合并后必須出售在歐洲的部分電池生產(chǎn)業(yè)務(wù),以消除競(jìng)爭(zhēng)擔(dān)憂。
2009-10-12
歐盟 松下 收購(gòu) 三洋
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臺(tái)灣首例氮化鋁投資 LED成本降3成
臺(tái)灣國(guó)立成功大學(xué)和金鋁公司今天簽約共同投資生產(chǎn)氮化鋁,也是臺(tái)灣第一個(gè)氮化鋁產(chǎn)業(yè);金鋁公司表示,臺(tái)灣氮化鋁都是從國(guó)外進(jìn)口,國(guó)內(nèi)產(chǎn)製后,氮化鋁成本預(yù)估降低3成。
2009-10-12
臺(tái)灣 金鋁 氮化鋁 國(guó)立成功大學(xué)
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電源及控制電路是半導(dǎo)體照明的關(guān)鍵
目前發(fā)展半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的問(wèn)題是:LED燈具用電源和控制電路、LD(半導(dǎo)體激光器)照明和半導(dǎo)體照明配套政策必須引起我們的高度重視。
2009-10-12
LED LD 照明
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電子元器件在電路仿真中的建模
計(jì)算機(jī)仿真具有效率高、精度高、可靠性高和成本低等特點(diǎn),已被廣泛應(yīng)用于電力電子電路(或系統(tǒng))的分析和設(shè)計(jì)。目前各種仿真工具中都自帶很多常用的元器件模型,但是自帶模型庫(kù)永遠(yuǎn)跟不上電子元器件的更新速度。這里針對(duì)建模的重要性和必要性,研究當(dāng)前流行的電子電路仿真工具的電子元器件模型,提出...
2009-10-12
計(jì)算機(jī)仿真 建模的 參數(shù)建模法 子電路建模法
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FSSD06 /FSSD07 :飛兆半導(dǎo)體推出通信功能的存儲(chǔ)器開(kāi)關(guān)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和便攜應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供兩款存儲(chǔ)器開(kāi)關(guān)產(chǎn)品 FSSD06 和 FSSD07 ,擴(kuò)展了普通處理器至安全數(shù)字(SD)、安全數(shù)字I/O (SDIO) 和多媒體卡 (MMC)等外設(shè)的通信功能。
2009-10-12
FSSD06 FSSD07 開(kāi)關(guān) 便攜應(yīng)用 手機(jī)
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FSSD06 /FSSD07 :飛兆半導(dǎo)體推出通信功能的存儲(chǔ)器開(kāi)關(guān)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和便攜應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供兩款存儲(chǔ)器開(kāi)關(guān)產(chǎn)品 FSSD06 和 FSSD07 ,擴(kuò)展了普通處理器至安全數(shù)字(SD)、安全數(shù)字I/O (SDIO) 和多媒體卡 (MMC)等外設(shè)的通信功能。
2009-10-12
FSSD06 FSSD07 開(kāi)關(guān) 便攜應(yīng)用 手機(jī)
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FDFME3N311ZT:飛兆半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)高效率的升壓開(kāi)關(guān)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開(kāi)關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT,有助提高手機(jī)、醫(yī)療、便攜和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench? MOSFET和肖特基二極管,具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC),以提升DC-DC升壓設(shè)計(jì)的效率。
2009-10-12
FDFME3N311ZT MOSFET 飛兆半導(dǎo)體
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