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2010年1-2月電子信息產(chǎn)品進(jìn)出口分析
進(jìn)入2010年，我國(guó)電子信息產(chǎn)品進(jìn)出口保持快速增長(zhǎng)，但仍未完全恢復(fù)危機(jī)前水平。1-2月，電子信息產(chǎn)品進(jìn)出口1241億美元，同比增長(zhǎng)41.7%，占全國(guó)外貿(mào)進(jìn)出口總額的32.1%；其中出口720億美元，同比增長(zhǎng)34.6%，，占全國(guó)外貿(mào)出口35.3%；進(jìn)口521億美元，同比增長(zhǎng)52.9%，占全國(guó)進(jìn)口28.6%。
2010-04-01
電子信息產(chǎn)品 計(jì)算機(jī) 電子元器件 外貿(mào)
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2010年1-2月電子信息產(chǎn)品進(jìn)出口分析
進(jìn)入2010年，我國(guó)電子信息產(chǎn)品進(jìn)出口保持快速增長(zhǎng)，但仍未完全恢復(fù)危機(jī)前水平。1-2月，電子信息產(chǎn)品進(jìn)出口1241億美元，同比增長(zhǎng)41.7%，占全國(guó)外貿(mào)進(jìn)出口總額的32.1%；其中出口720億美元，同比增長(zhǎng)34.6%，，占全國(guó)外貿(mào)出口35.3%；進(jìn)口521億美元，同比增長(zhǎng)52.9%，占全國(guó)進(jìn)口28.6%。
2010-04-01
電子信息產(chǎn)品 計(jì)算機(jī) 電子元器件 外貿(mào)
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TK系列：Toshiba推出高性能功率MOSFET
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開(kāi)關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V，電流20A。新的TK系列器件適合用于各種新和新興電源應(yīng)用中，包括功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)和照明用鎮(zhèn)流器。
2010-04-01
TK系列 Toshiba MOSFET
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TK系列：Toshiba推出高性能功率MOSFET
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開(kāi)關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V，電流20A。新的TK系列器件適合用于各種新和新興電源應(yīng)用中，包括功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)和照明用鎮(zhèn)流器。
2010-04-01
TK系列 Toshiba MOSFET
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TK系列：Toshiba推出高性能功率MOSFET
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開(kāi)關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V，電流20A。新的TK系列器件適合用于各種新和新興電源應(yīng)用中，包括功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)和照明用鎮(zhèn)流器。
2010-04-01
TK系列 Toshiba MOSFET
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HA73：Bitechnologies推出DC／DC設(shè)計(jì)用的電感
HA73系列電感具有高飽和鐵心材料，工作頻率高達(dá)800 kHz，適用于高功率應(yīng)用。器件尺寸為19.2mmx19.6mmx12.2mm，典型額定電感值為13.5 μH~29.5 μH，典型額定電流為6.5A~9A，取決于器件。
2010-04-01
HA73 Bitechnologies DC／DC 電感
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HA73：Bitechnologies推出DC／DC設(shè)計(jì)用的電感
HA73系列電感具有高飽和鐵心材料，工作頻率高達(dá)800 kHz，適用于高功率應(yīng)用。器件尺寸為19.2mmx19.6mmx12.2mm，典型額定電感值為13.5 μH~29.5 μH，典型額定電流為6.5A~9A，取決于器件。
2010-04-01
HA73 Bitechnologies DC／DC 電感
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HA73：Bitechnologies推出DC／DC設(shè)計(jì)用的電感
HA73系列電感具有高飽和鐵心材料，工作頻率高達(dá)800 kHz，適用于高功率應(yīng)用。器件尺寸為19.2mmx19.6mmx12.2mm，典型額定電感值為13.5 μH~29.5 μH，典型額定電流為6.5A~9A，取決于器件。
2010-04-01
HA73 Bitechnologies DC／DC 電感
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IEEE 1902.1－RuBee即將替代RFID
IEEE在2007年初推出了新一代的短距離無(wú)線(xiàn)傳輸標(biāo)準(zhǔn)RuBee，不過(guò)與現(xiàn)有的低功率無(wú)線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)，如ZigBee、WiBree之類(lèi)的技術(shù)比較起來(lái)，RuBee比較偏向于無(wú)線(xiàn)設(shè)頻標(biāo)簽的補(bǔ)充技術(shù)，而不是通用的終端設(shè)備無(wú)線(xiàn)感測(cè)。本文對(duì)比RuBee與RFID說(shuō)明各自的特點(diǎn)
2010-04-01
RuBee IEEE 1902.1 RFID
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