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2011中國國際消費(fèi)電子博覽會
2011中國國際消費(fèi)電子博覽會
2011-02-21
2011中國國際消費(fèi)電子博覽會
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ULTIMO：日本JM Energy開發(fā)出低電阻化鋰離子電容器用于產(chǎn)業(yè)設(shè)備
日本JM Energy（總部：山梨縣北杜市）宣布開發(fā)出了將內(nèi)部電阻降至以往產(chǎn)品1/3的層壓型鋰離子電容器“ULTIMO”新產(chǎn)品。通過改進(jìn)電極材料實現(xiàn)了低電阻化。內(nèi)部電阻的降低可減少充放電時的能量損失。
2011-02-21
電阻化鋰離子電容器 電容器新品 電容器
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2011西安安防博覽會-安防工程精英百人游世園活動拉開序幕
2011西安安防博覽會-安防工程精英百人游世園活動拉開序幕
2011-02-15
2011西安安防博覽會-安防工程精英百人游世園活動拉開序幕
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SP400：Sensonor推出綜合性無線低功耗壓力傳感器適合電池供電應(yīng)用
SP400系列是高度精確的無線數(shù)字絕對壓力傳感器。SP400是擁有嵌入式精簡指令集芯片（RISC）微處理器的完全校準(zhǔn)和補(bǔ)償?shù)膫鞲衅?。該系列有?50kPa(22psi)至2000kPa(290psi)的4種壓力范圍的產(chǎn)品供應(yīng)。
2011-02-14
SP400 Sensonor 無線 低功耗 壓力傳感器 電池供電
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2011第十屆華東國際電子工業(yè)制造展覽會
華東國際電子工業(yè)制造展覽會
2011-02-11
華東國際電子工業(yè)制造展覽會
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優(yōu)化高電壓IGBT在高效率太陽能逆變器中的應(yīng)用
多年來的調(diào)查和分析顯示，IGBT比其他功率晶體管有更多優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)中包括更高電流能力，利用電壓而非電流來進(jìn)行柵極控制，以及能夠與一個超快速恢復(fù)二極管協(xié)同封裝來加快關(guān)斷速度。此外，工藝技術(shù)及器件結(jié)構(gòu)的精細(xì)改進(jìn)也使IGBT的開關(guān)性能得到相當(dāng)?shù)母纳?。其他?yōu)點(diǎn)還包括更好的通態(tài)性能，以及擁有高度耐...
2011-02-06
高電壓IGBT 太陽能 逆變器
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浪涌保護(hù)器（SPD）的基本原理及應(yīng)用
電涌保護(hù)器(Surge Protective Device，SPD)又稱浪涌保護(hù)器，是用于帶電系統(tǒng)中限制瞬態(tài)過電壓和導(dǎo)引泄放電涌電流的非線性防護(hù)器件，用以保護(hù)耐壓水平低的電器或電子系統(tǒng)免遭雷擊及雷擊電磁脈沖或操作過電壓的損害。本文介紹浪涌保護(hù)器（SPD）的基本原理及應(yīng)用。
2011-02-05
浪涌保護(hù)器 SPD 原理 應(yīng)用 計算機(jī)系統(tǒng)
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器
開關(guān)電源的設(shè)計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費(fèi)產(chǎn)品 功率轉(zhuǎn)換器 開關(guān)電源
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2011年拉動國內(nèi)電子元器件行業(yè)增長的因素還在
展望2011年，拉動國內(nèi)電子元器件行業(yè)增長的因素還在，一是出口會繼續(xù)增長，二是國內(nèi)消費(fèi)也在增長。最新研報認(rèn)為，從目前美國經(jīng)濟(jì)各項指標(biāo)看，雖然美國的失業(yè)率仍然處于高位（9．8%），并不支持消費(fèi)水平的大幅度回升，未來6－9個月經(jīng)濟(jì)擴(kuò)張。ISM制造業(yè)景氣判斷指數(shù)連續(xù)第16個月高于景氣榮枯分界點(diǎn)（5...
2011-01-27
電子元器件 消費(fèi) 增長
- 機(jī)構(gòu)預(yù)警：DRAM價格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲原廠加速擴(kuò)產(chǎn)供應(yīng)HBM
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