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測(cè)試測(cè)量

2010十大科技猜想：超級(jí)電容車將面世

美國某雜志網(wǎng)站近日對(duì)2010年的科技發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了分析，并預(yù)測(cè)2010年或?qū)⑷〉弥卮笱芯窟M(jìn)展的十大科技產(chǎn)品或科技概念，其中包括仿人機(jī)器人、“超級(jí)電容”動(dòng)力汽車，和直接碳燃料技術(shù)等。

2009-12-21

2010 科技猜想超級(jí)電容車機(jī)器人

OPA653/OPA659：TI推出業(yè)界速度最快的JFET輸入放大器

德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器，其可實(shí)現(xiàn)3 倍于同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。

2009-12-21

OPA653 OPA659 TI JFET 放大器

電子元器件業(yè)景氣期將至相關(guān)公司擴(kuò)張產(chǎn)能

電子元器件類上市公司近期的擴(kuò)張產(chǎn)能動(dòng)作趨于頻繁。通富微電近日公告，將在未來三年投入10億元進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張。此前，拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產(chǎn)線項(xiàng)目，華天科技董事會(huì)審議通過DFN型微小形封裝集成電路生產(chǎn)線技術(shù)改造項(xiàng)目，總投資為2億元。

2009-12-21

電子元器件景氣期將至公司擴(kuò)張半導(dǎo)體

DDR測(cè)試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫周期

測(cè)量DDR2存儲(chǔ)設(shè)備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時(shí)Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時(shí)Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時(shí)序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。

2009-12-18

DDR測(cè)試力科 WaveScan 分離讀寫周期

DDR測(cè)試系列之三—— 某SDRAM時(shí)鐘分析案例

SDRAM時(shí)鐘分析案例:串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時(shí)鐘端接策略，在原理圖設(shè)計(jì)中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容，如果MCU輸出的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)能力弱，可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。準(zhǔn)確的測(cè)量?jī)?nèi)存時(shí)鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無源探頭在高頻時(shí)阻抗太小，不能準(zhǔn)確的測(cè)量波形，需要使用高帶...

2009-12-18

DDR 測(cè)試 SDRAM 時(shí)鐘分析

東大等驗(yàn)證7μm的極薄晶圓也不會(huì)影響CMOS元件

東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。

2009-12-18

東大晶圓 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW項(xiàng)目硅

工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染

日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡(jiǎn)稱《通則》)。

2009-12-18

工信部電子產(chǎn)品污染環(huán)保

AUIPS7121R/7141R：IR推出堅(jiān)固可靠的智能功率開關(guān)

國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出 AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 65V 高側(cè)智能功率開關(guān) (IPS) 。新產(chǎn)品具有精確的電流感應(yīng)和內(nèi)置保護(hù)電路，適用于嚴(yán)苛的24V汽車環(huán)境，如卡車的引擎罩接線盒等。

2009-12-18

IR AUIPS7121R AUIPS7141R 智能功率開關(guān)