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能源革命為微電子產(chǎn)業(yè)提供新機(jī)遇
在過去10年中，中國的GDP與能耗基本上是同比例增加的。從單位GDP(國內(nèi)生產(chǎn)總值)的能耗來看，根據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局提供的數(shù)據(jù)，當(dāng)前中國1億美元GDP所消耗的能源是12.03萬噸標(biāo)準(zhǔn)煤，大約是日本的7.2倍，是德國的5.62倍，是美國的3.52倍，是印度的1.18倍，是世界平均水平的3.28倍。中國的GDP要趕超美國，如果...
2009-12-21
能源革命 微電子 新機(jī)遇 GDP 低能耗
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Sistema稱正與俄羅斯政府?dāng)偱院匣锸召徲w凌
12月15日消息，俄羅斯Sistema公司總裁今日表示，公司正在就俄羅斯政府可能收購英飛凌股份一事中成為俄方合作伙伴之一進(jìn)行談判。英飛凌是德國最大的芯片制造商。
2009-12-21
英飛凌 芯片制造 Sistema 收購
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2010十大科技猜想：超級電容車將面世
美國某雜志網(wǎng)站近日對2010年的科技發(fā)展趨勢進(jìn)行了分析，并預(yù)測2010年或?qū)⑷〉弥卮笱芯窟M(jìn)展的十大科技產(chǎn)品或科技概念，其中包括仿人機(jī)器人、“超級電容”動力汽車，和直接碳燃料技術(shù)等。
2009-12-21
2010 科技猜想 超級電容車 機(jī)器人
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OPA653/OPA659：TI推出業(yè)界速度最快的JFET輸入放大器
德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器，其可實(shí)現(xiàn)3 倍于同類競爭產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。
2009-12-21
OPA653 OPA659 TI JFET 放大器
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電子元器件業(yè)景氣期將至 相關(guān)公司擴(kuò)張產(chǎn)能
電子元器件類上市公司近期的擴(kuò)張產(chǎn)能動作趨于頻繁。通富微電近日公告，將在未來三年投入10億元進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張。此前，拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產(chǎn)線項(xiàng)目，華天科技董事會審議通過DFN型微小形封裝集成電路生產(chǎn)線技術(shù)改造項(xiàng)目，總投資為2億元。
2009-12-21
電子元器件 景氣期將至 公司擴(kuò)張 半導(dǎo)體
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DDR測試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫周期
測量DDR2存儲設(shè)備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時(shí)Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時(shí)Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時(shí)序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
DDR測試 力科 WaveScan 分離讀寫周期
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DDR測試系列之三—— 某SDRAM時(shí)鐘分析案例
SDRAM時(shí)鐘分析案例:串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時(shí)鐘端接策略，在原理圖設(shè)計(jì)中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容，如果MCU輸出的時(shí)鐘驅(qū)動能力弱，可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。準(zhǔn)確的測量內(nèi)存時(shí)鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無源探頭在高頻時(shí)阻抗太小，不能準(zhǔn)確的測量波形，需要使用高帶...
2009-12-18
DDR 測試 SDRAM 時(shí)鐘分析
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東大等驗(yàn)證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。
2009-12-18
東大 晶圓 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW項(xiàng)目 硅
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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