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NCP508：安森美新集成穩(wěn)壓器提供低能耗方案
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 4月1日推出低電流穩(wěn)壓器NCP508，為創(chuàng)建低功率電壓軌提供高能效及經(jīng)濟(jì)的方案。這新穩(wěn)壓器提供配合低能耗、高空間利用率及高性價(jià)比設(shè)計(jì)的方案，用于觸摸屏、鍵盤、智能手機(jī)、便攜儀表、打印機(jī)及遙控器等應(yīng)用。
2010-04-07
安森美 半導(dǎo)體 集成穩(wěn)壓器 電池 低能耗
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示波器探頭基礎(chǔ)系列之四—— 探頭在捕獲高速信號(hào)上的技術(shù)進(jìn)步
本文將談到為什么差分探頭比單端探頭的固有負(fù)載要小，并且描述一種比以前任何一種探頭都具有最小負(fù)載效應(yīng)的差分探頭。待測(cè)信號(hào)的探頭額定負(fù)載效應(yīng)可以量化，同時(shí)將展示探頭負(fù)載效應(yīng)的評(píng)估方法。
2010-04-06
力科 探頭 高速信號(hào) WaveLink
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應(yīng)材CEO：半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)整合期來(lái)臨
華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)訪問(wèn)應(yīng)用材料(AppliedMaterials)執(zhí)行長(zhǎng) MikeSplinter指出，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)購(gòu)并潮即將到來(lái)，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)需要透過(guò)整并來(lái)維持成長(zhǎng)速度。
2010-04-06
應(yīng)才 半導(dǎo)體 設(shè)備 購(gòu)并 Semitool 太陽(yáng)能
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太陽(yáng)能熱利用產(chǎn)業(yè)面臨發(fā)展契機(jī)
太陽(yáng)能熱利用產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模不大，創(chuàng)新能力不足，2010年，低碳建筑、家電下鄉(xiāng)和技術(shù)創(chuàng)新等方面有望成為行業(yè)發(fā)力的亮點(diǎn)。
2010-04-06
太陽(yáng)能 低碳 節(jié)能 綠色 下鄉(xiāng) 能耗
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Torex推出0603 尺寸超小型肖特基二極管
特瑞仕半導(dǎo)體針對(duì)便攜式儀器市場(chǎng)向小型化、薄型化進(jìn)步的需要、開(kāi)發(fā)了兩種世界上最小級(jí)別的肖特基二極管產(chǎn)品。
2010-04-06
Torex 尺寸 超小型 肖特基二極管
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Semelab推出航空和軍事應(yīng)用陶瓷二極管DLCC系列
DLCC 系列陶瓷二極管無(wú)引線片狀載體器件適合用于軍事、航天、航空電子和其它高溫應(yīng)用中。該二極管采用全密封、表面貼裝陶瓷封裝設(shè)計(jì)符合現(xiàn)有MELF類器件的標(biāo)準(zhǔn)焊接占位面積，改善散熱性能和更好可焊性。
2010-04-06
Semelab 航空軍事 陶瓷二極管 DLCC
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2009年全球風(fēng)力發(fā)電市場(chǎng)回顧與未來(lái)展望
2009年全球風(fēng)力發(fā)電市場(chǎng)不畏金融海嘯衝擊，在美國(guó)及中國(guó)政府大力推廣下，新增風(fēng)力發(fā)電裝置量仍較2008年成長(zhǎng)31%。但因2009年新增容量主要來(lái)自既有存貨，風(fēng)力機(jī)接訂單量?jī)H為15,717MW，較2008年衰退41%。前瞻2010年，在中、美及歐洲風(fēng)電大國(guó)帶動(dòng)下，全球風(fēng)力發(fā)電新增容量將較2009年成長(zhǎng)15%；而風(fēng)力機(jī)接...
2010-04-06
風(fēng)力發(fā)電 展望 新能源
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2009年OLED出貨持續(xù)成長(zhǎng) AMOLED出貨首超PMOLED
2009年全球OLED面板出貨金額達(dá)8億2千6百萬(wàn)美元，較去年增長(zhǎng)35%，主要增長(zhǎng)因素來(lái)自于手機(jī)主要屏幕對(duì)AMOLED面板需求增加。2009年手機(jī)市場(chǎng)對(duì)AMOLED面板需求增加不只貢獻(xiàn)了全球OLED出貨提高，同時(shí)也使得AMOLED產(chǎn)值首度超越PMOLED；
2010-04-06
OLED AMOLED PMOLED。
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iSuppli：GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)
目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si（硅）的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)換效率。所以，全面開(kāi)始商用化之后，市場(chǎng)規(guī)模將快速擴(kuò)大。
2010-04-06
iSuppli GaN 功率半導(dǎo)體
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