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測(cè)試測(cè)量

東京農(nóng)工大學(xué)開(kāi)發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器

東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布，開(kāi)發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。

2010-04-19

東京大學(xué) 單層碳納米管鈦酸鋰鋰離子電容器

IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET

據(jù)稱(chēng)，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購(gòu)買(mǎi)1萬(wàn)個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。

2010-04-19

IR 導(dǎo)通電阻耐壓功率MOSFET

節(jié)能技術(shù)研討會(huì)閉幕低碳經(jīng)濟(jì)催熱新型節(jié)能技術(shù)

2010-04-16

節(jié)能技術(shù)研討會(huì)閉幕低碳經(jīng)濟(jì)催熱新型節(jié)能技術(shù)

新一代低VCEsat雙極晶體管

近年來(lái)，中功率雙極晶體管在飽和電阻和功率范圍上的重大突破，極大地拓寬了此類(lèi)器件的應(yīng)用領(lǐng)域。恩智浦最新推出的SMD封裝中功率晶體管(BISS 4)再次顯現(xiàn)出雙極晶體管的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，在為開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)了開(kāi)關(guān)損耗更小，效率更高的同時(shí)，也贏得了更多的市場(chǎng)空間。

2010-04-16

雙極晶體管 SMD BISS 4

亞洲表面貼裝盛會(huì)下周上海舉行
有力推動(dòng)我國(guó)電子生產(chǎn)行業(yè)制造水平

亞洲表面貼裝盛會(huì)下周上海舉行

2010-04-16

亞洲表面貼裝盛會(huì)下周上海舉行

全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出衰退潮有望扭轉(zhuǎn)

國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2009年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本設(shè)備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設(shè)備部門(mén)中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設(shè)備支出大幅下滑47%，后端設(shè)備(BEE)支出亦減少40%。

2010-04-16

半導(dǎo)體設(shè)備資本支出衰退潮扭轉(zhuǎn)

多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩

多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩。此結(jié)論來(lái)源于Bernreuter信息研究公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)Bernreuter研究）今日發(fā)布的最新研究報(bào)告《太陽(yáng)能多晶硅的生產(chǎn)狀況》。多晶硅被視為半導(dǎo)體和光伏產(chǎn)業(yè)的供給原料，但在該市場(chǎng)于2009年轉(zhuǎn)至供過(guò)于求的狀態(tài)之前，多晶硅一直處于短缺。

2010-04-16

多晶硅面臨大幅震蕩 Bernreuter