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能源電力

可實(shí)現(xiàn)更高系統(tǒng)效率及更小系統(tǒng)尺寸的碳化硅MOSFET

科銳宣布量產(chǎn)第二代碳化硅MOSFET器件。相對(duì)于同等成本的基于硅器件的系統(tǒng)，科銳新型碳化硅MOSFET器件可實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率及更小的系統(tǒng)尺寸，可為OEM廠商帶來(lái)更低的系統(tǒng)成本。

2013-03-25

系統(tǒng)效率系統(tǒng)尺寸碳化硅MOSFET

突破傳統(tǒng)的IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)

目前，在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無(wú)法抵抗來(lái)自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)的解決方案。

2013-03-25

IGBT 電路設(shè)計(jì) 電路保護(hù)

五種交流電容器常用的檢測(cè)方法

作為電路設(shè)計(jì)中最常用的器件之一的電容器，應(yīng)用十分廣泛，例如，用于提高感性負(fù)載功率因數(shù)的移相電容器，用于單相異步電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)電容器，用于交流接觸器無(wú)聲遠(yuǎn)行中的降壓電容器等等。它既是最常用的電器元件，也是容易損壞的電器元件，在沒有特殊儀表儀器的情況下檢測(cè)電容器的好壞，可用以幾種方法。

2013-03-25

交流電容電容器檢測(cè)方法

0V~500V、10mA敏感的模擬電路的線性電源選擇

開關(guān)電源技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電源的首要選擇，它可以實(shí)現(xiàn)從主電源獲得所需的輸出電壓。但是，其通常伴有較高的噪聲，不能用于敏感的模擬電路。這些情況下，最佳的選擇還是線性電源。

2013-03-24

模擬電路線性電源開關(guān)電源

電力系統(tǒng)二次自動(dòng)化設(shè)備的電磁兼容問題

電力系統(tǒng)二次自動(dòng)化設(shè)備是電力系統(tǒng)運(yùn)行設(shè)備的一個(gè)部分，在討論其電磁兼容問題時(shí)，不應(yīng)該把它孤立地作為一個(gè)電子設(shè)備來(lái)進(jìn)行，而要結(jié)合電力系統(tǒng)的電磁環(huán)境進(jìn)行綜合、全面地考慮。

2013-03-23

電力系統(tǒng)二次自動(dòng)化設(shè)備電磁兼容

降低開關(guān)電源噪聲用于高靈敏度的模擬電路

開關(guān)電源的特征就是產(chǎn)生強(qiáng)電磁噪聲，若不加嚴(yán)格控制，將產(chǎn)生極大的干擾。為了保護(hù)開關(guān)管免受由于寄生參數(shù)等因素引起的振蕩尖峰電壓的沖擊常需要阻尼，阻尼器連到有問題的線圈上，這也可以減小發(fā)射。

2013-03-22

開關(guān)電源高靈敏度模擬電路

應(yīng)用在電源管理中的肖特基二極管

很多設(shè)計(jì)都采用一個(gè)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)（網(wǎng)絡(luò)）工具推薦的二極管。這并非總是二極管的最優(yōu)選擇。本文將探討一些在選擇正確的二極管時(shí)應(yīng)仔細(xì)考慮的典型參數(shù)，以及如何應(yīng)用這些參數(shù)來(lái)快速確定選型的正確與否。

2013-03-22

電源管理肖特基二極管熱逃逸

變壓器過電壓抑制介紹

變壓器因雷電過電壓造成的事故還時(shí)有發(fā)生，提出將高頻磁環(huán)并聯(lián)阻尼電阻后串接在線路的適當(dāng)位置來(lái)抑制變電站變壓器雷電過電壓的方法，通過振蕩回路的試驗(yàn)和仿真建立了高頻磁環(huán)的EMTP仿真計(jì)算模型。

2013-03-22

變壓器過電壓抑制

可將元件損失降低50%的肖特基勢(shì)壘二極管

東芝將量產(chǎn)SiC制肖特基勢(shì)壘二極管，可將元件損失降低50%以上。新產(chǎn)品可用于服務(wù)器電源、光伏發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器等用途，新產(chǎn)品的反向重復(fù)峰值電壓VRRM為650V，平均正向電流IFM為12A，正向電壓VF為1.7V，反向重復(fù)峰值電流IRRM為90μA。

2013-03-22

肖特基勢(shì)壘二極管損耗量產(chǎn)