開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾。

 

 

 

以差模干擾為主1.增大X電容量；2.添加差模電感；3.小功率電源可采用PI型濾波器處理（建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些）。

 

 

差模共?；旌希捎幂斎攵瞬⒁幌盗蠿電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決；

 

 

以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減（diudiu2006）;對(duì)于 25--30MHZ不過可以采用加大對(duì)地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCBLAYOUT、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小磁環(huán)，最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器。

 

 

差模共?；旌?，采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量，添加差模電感器，調(diào)差模電感量;2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感，選用合理的電感量來(lái)抑制；3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107一對(duì)普通整流二極管 1N4007。

 

 

以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。

 

對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔閉環(huán)。處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。

 

1.對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；

2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；

3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

4.改變PCB Layout；

5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；

7.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

9.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻。

 

 

1.普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起，可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻，RCD緩沖電路采用1N4007慢管，VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決。

2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管；

3.VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決；

4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；

5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；

6.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；

8.PCB LAYOUT時(shí)大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的?。?/div>