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為什么高速信號ESD設(shè)置要flow-through
目前的芯片工藝越來越精密，主IC都到納米級別了，具有極薄光刻技術(shù)和極易受到 ESD 影響的柵極氧化物的先進技術(shù)，所以IC的防靜電能力主要是保護自身在生產(chǎn)運輸和安裝過程中不受損壞。
2021-10-21
高速信號 ESD設(shè)置 flow-through
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【技術(shù)大咖測試筆記系列】之八：低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進一步、再進一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。
2021-10-20
低功率 MOSFET 泰克科技
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一款基于ARM控制的逆變器電源電路設(shè)計方案
本設(shè)計以 ARM 作為控制核心，結(jié)合推挽升壓電路和 SPWM 逆變電路，實現(xiàn)了將12VDC 輸入電壓轉(zhuǎn)換為110VAC 交流正弦電壓輸出。實驗表明，該逆變器具有電壓紋波小、動態(tài)響應(yīng)高和全數(shù)字等特點，能夠滿足實際需要。
2021-10-20
ARM控制 逆變器電源 電路設(shè)計
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件重載時溫度更低
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場包括光伏和儲能、驅(qū)動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2021-10-20
SiC MOSFET高 PoE 智能樓宇 國產(chǎn)器件
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如何通過任意長度的銅線控制遠端負載的電壓~
在功率分配系統(tǒng)中，由于穩(wěn)壓器和負載之間的電纜 / 導(dǎo)線壓降而產(chǎn)生穩(wěn)壓問題是很常見。導(dǎo)線電阻、電纜長度或負載電流的任何增加都會使配電線上的壓降增大，從而擴大負載上的實際電壓與穩(wěn)壓器所獲電壓之間的差異。
2021-10-19
銅線 遠端負載
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為何10BASE-T1S是汽車通訊中缺失的以太網(wǎng)鏈接？
新的IEEE汽車以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)不斷涌現(xiàn)，10BASE-T1S以太網(wǎng)是最新標(biāo)準(zhǔn)之一。本文討論汽車行業(yè)的發(fā)展趨勢，它們反映了汽車電子/電氣(E/E)架構(gòu)的變化，以及新10BASE-T1S標(biāo)準(zhǔn)如何支持和推動這種新架構(gòu)的部署。
2021-10-19
汽車通訊 以太網(wǎng)
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以太網(wǎng)供電(PoE)和智能樓宇：第二部分
根據(jù)美國國家防火協(xié)會（NFPA）的數(shù)據(jù)，電氣和照明設(shè)備是引起美國商業(yè)火災(zāi)的第三大源頭。典型的根源是老舊或有缺陷的電線，過載的電路，松動的連接，故障保險絲，不平衡的電力負荷，以及許多其他電氣或雷擊問題。這些都會導(dǎo)致過熱，產(chǎn)生火花，最終點燃火災(zāi)。
2021-10-18
以太網(wǎng) PoE 智能樓宇
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以太網(wǎng)供電(PoE)和智能樓宇：第一部分
以太網(wǎng)供電（PoE）正如其名所示：它通過用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐浑娎|供電--足以滿足小型設(shè)備的需求。該技術(shù)被廣泛用于智能樓宇中，由于涉及的電壓較低，普通的電源安全規(guī)則并不適用。這突出了PoE具有吸引力的原因之一；它可以大大降低與安裝和合規(guī)性有關(guān)的成本。
2021-10-18
以太網(wǎng) PoE 智能樓宇
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開關(guān)電源輸入端繼電器觸點短路失效分析
開關(guān)電源產(chǎn)品有一個重要的性能指標(biāo)為輸入沖擊電流，該指標(biāo)通常要往小的方向設(shè)計，常規(guī)設(shè)計是在開關(guān)電源輸入端的火線上串聯(lián)一個熱敏電阻（NTC）,而對于功率較大的開關(guān)電源則同時在熱敏電阻（NTC）上并一個繼電器，用于產(chǎn)品穩(wěn)定工作時減少器件損耗和提高可靠性。本文重點分析并入繼電器后發(fā)生觸點短路...
2021-10-18
開關(guān)電源 繼電器 觸點短路
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