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電路保護(hù)

在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測(cè)量

在經(jīng)過(guò)多年研究和設(shè)計(jì)之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來(lái)越實(shí)用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來(lái)了許多挑戰(zhàn)，包括柵極驅(qū)動(dòng)要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負(fù)偏置電壓時(shí)會(huì)關(guān)閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴(yán)格的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點(diǎn)，...

2022-01-27

高壓半導(dǎo)體器件擊穿電壓漏流測(cè)量

擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的絕緣能力？采用'BIER'測(cè)試吧

最新的寬帶間隙（WBG）半導(dǎo)體正走向最理想的狀態(tài)，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現(xiàn)代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會(huì)將瞬態(tài)電壓耦合到柵極驅(qū)動(dòng)電路，從而造成混亂或損壞，同時(shí)上橋臂柵極驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)和電源隔離還會(huì)受到應(yīng)力影響。本文將探討...

2022-01-27

柵極驅(qū)動(dòng)器絕緣能力 BIER測(cè)試

工業(yè)和汽車(chē)行業(yè)如何從 5G 中受益

5G 不僅僅是局限于對(duì)移動(dòng)通訊技術(shù)的改進(jìn)，更高的下載速度可能會(huì)增強(qiáng)智能手機(jī)的瀏覽體驗(yàn)，但 5G 的真正影響巨大的應(yīng)用更有可能尚未出現(xiàn)。本文中我們討論5G如何會(huì)影響工業(yè)和汽車(chē)行業(yè)，以及您如何把 5G 構(gòu)建到您的下一個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。

2022-01-26

工業(yè)行業(yè) 汽車(chē)行業(yè) 5G

主控芯片CPU/FPGA存儲(chǔ)及單粒子翻轉(zhuǎn)科普

每一次神舟載人飛船和SpaceX衛(wèi)星的發(fā)射升空，都能吸引眾多人關(guān)注。對(duì)于這些神秘的航天飛信器，你知道它們的信息都是怎么處理的嗎？航天飛行器信息的處理依靠CPU/FPGA，而指令的執(zhí)行則憑借存儲(chǔ)器。目前市場(chǎng)上大多數(shù)售賣(mài)主芯片的廠商都是靠存儲(chǔ)器起家的。

2022-01-25

主控芯片 CPU/FPGA存儲(chǔ) 單粒子

談峰值電流控制模式下的次諧波振蕩

相信各位工程師朋友們都遇到過(guò)電源不穩(wěn)定的現(xiàn)象，這種現(xiàn)象有可能是原理圖或者PCB設(shè)計(jì)不當(dāng)導(dǎo)致的，也有可能是環(huán)路補(bǔ)償不夠的因素；而由于次諧波振蕩導(dǎo)致的電源不穩(wěn)定現(xiàn)象，大家了解多少？

2022-01-25

峰值電流次諧波振蕩

DC/DC轉(zhuǎn)換器的隔離

除了防止電擊之外，DC/DC轉(zhuǎn)換器的隔離具有許多不同的用途。本文介紹了各種等級(jí)的隔離以及在常見(jiàn)的低功耗DC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。

2022-01-21

DC/DC 轉(zhuǎn)換器隔離

如何加快設(shè)計(jì)和調(diào)試速度？具有突破性、可擴(kuò)展、直觀易用的上電時(shí)序系統(tǒng)是關(guān)鍵！

各行各業(yè)的電子系統(tǒng)都變得越來(lái)越復(fù)雜，這已經(jīng)不是什么秘密。至于這種復(fù)雜性如何滲透到電源設(shè)計(jì)中，卻不是那么明顯。例如，功能復(fù)雜性一般通過(guò)使用ASIC、FPGA和微處理器來(lái)解決，在更小的外形尺寸中融入更豐富的應(yīng)用特性。

2022-01-20

上電時(shí)序系統(tǒng)

橋式電路的開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開(kāi)關(guān)動(dòng)作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

2022-01-19

橋式電路開(kāi)關(guān)

SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）帶來(lái)的影響時(shí),需要在包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路的寄生分量在內(nèi)的等效電路基礎(chǔ)上進(jìn)行考量。

2022-01-17

SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路