如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪...
MOSFET 失效機理 雪崩擊穿
三端保險絲是芯片式表貼安裝產(chǎn)品，通常用于鋰離子電池組作為二次保護，使其在遭受過流與過壓風(fēng)險時能夠及時動作，有效減少鋰離子電池因為過充、過放以及短路等故障導(dǎo)致的起火爆炸等情況，讓電路與器件損壞控制在盡量小的區(qū)域。
2022-09-21
三端保險絲 Littelfuse
USB Type-C（USB-C）電纜和連接器規(guī)范極大地簡化了實現(xiàn)互連和為數(shù)碼相機和超薄平板電腦等電子產(chǎn)品供電的方式（圖1）。該規(guī)范支持高達(dá)15W的USB-C充電應(yīng)用，而USB-C功率傳輸（PD）將充電能力擴展至100W，包括各種可互換充電的設(shè)備。USB Type-C在系統(tǒng)保護方面帶來了新的挑戰(zhàn)。新連接器的間距比USB Micr...
2022-09-19
Type-C 數(shù)據(jù)線 充電保護
熱保險絲是最古老的電路保護裝置，目前仍在廣泛使用。人們已熟知這種產(chǎn)品，它可靠、一致、符合監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)。然而，隨著最終產(chǎn)品的復(fù)雜性增加、尺寸縮小，設(shè)計人員需要為用戶可更換的保險絲和保險絲座找到一種替代產(chǎn)品，以減少外形尺寸，簡化裝配，提高堅固性并進一步增加安全性。
2022-09-16
SMD 保險絲 DigiKey
在所有器件特性中，噪聲可能是一個特別具有挑戰(zhàn)性、難以掌握的設(shè)計課題。本文主要介紹電源噪聲對于高速DAC相位噪聲的影響。
電源噪聲 高速DAC 相位噪聲
惡劣環(huán)境是電機控制或電磁閥控制應(yīng)用中的許多電氣系統(tǒng)必須面對的現(xiàn)實。控制電機和電磁閥的電子裝置需要非常接近使終端應(yīng)用發(fā)生物理運動的高電流和電壓。除了近距離外，這些系統(tǒng)常常會進行維修(例如，雇傭技工更改洗碗機電磁閥的控制器板)，這就為非故意的接線錯誤留下了可能性。接近高電流和電壓，...
2022-09-02
電流檢測 放大器 過壓保護
2022華南國際智能制造、先進電子及激光技術(shù)博覽會旗下成員展（LEAP Expo）——慕尼黑華南電子展(electronica South China)將于2022年11月16日-18日在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦，展會立足粵港澳大灣區(qū)，輻射華南、西南及東南亞市場；匯聚國內(nèi)外知名企業(yè)，吸引行業(yè)優(yōu)質(zhì)買家及精英，為蓬勃發(fā)展的...
2022-08-29
慕尼黑華南電子展
啟動期間的點火起動和關(guān)斷期間的負(fù)載突降是造成汽車電源線路中產(chǎn)生電壓瞬變的常見起因。這些欠壓(UV)和過壓(OV)瞬變的幅度很大，可能會對并非專用于極端條件下運行的電路造成損壞。目前已開發(fā)出專用的UV和OV保護器件，用于斷開敏感型電子器件與電源瞬變之間的連接。
2022-08-19
汽車應(yīng)用 過壓和欠壓 保護器件
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![[技術(shù)淺談] 認(rèn)識三端保險絲](http://image.cntronics.com/static/images/29_副本_cRvdn5u.png "[技術(shù)淺談] 認(rèn)識三端保險絲")
