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有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究
本文講述設(shè)計(jì)應(yīng)用電路對(duì)IGBT進(jìn)行驅(qū)動(dòng)和保護(hù)。此驅(qū)動(dòng)電路是在典型驅(qū)動(dòng)電路的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)和完善的，并且自行設(shè)計(jì)了隔離部分和過(guò)電流保護(hù)擴(kuò)展部分。此驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡(jiǎn)單、實(shí)用，對(duì)被驅(qū)動(dòng)的IGBT有完善的保護(hù)能力，輸出阻抗低，具有較強(qiáng)的抗干擾性能。
2010-03-25
濾波器 IGBT 保護(hù)研究 EXB841
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PPTC在便攜設(shè)備中的應(yīng)用
PPTC元件在廣泛的電路保護(hù)應(yīng)用中顯示了卓越的性能，并有UL，CSA和TV的安全認(rèn)證。PPTC為裝置提供了可靠、自復(fù)式的保護(hù)，有效地減少了巨額的質(zhì)保返修，大大提高了客戶(hù)的滿(mǎn)意程度。選擇PPTC元件時(shí)，必須考慮可能通過(guò)的最大負(fù)載電流、最高環(huán)境溫度、以及為防止其它部件損壞所要求的最大動(dòng)作時(shí)間。根據(jù)這...
2010-03-23
PPTC 便攜設(shè)備 短路保護(hù) CLA
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韓國(guó)誕生第一輛無(wú)線(xiàn)充電電動(dòng)車(chē)
第一輛無(wú)線(xiàn)充電電動(dòng)車(chē)3月9日在韓國(guó)京畿道果川市的首爾大公園投入使用。首爾市市長(zhǎng)吳世勛和韓國(guó)高等科學(xué)技術(shù)學(xué)院校長(zhǎng) Suh Nam-pyo 出席了在該公園舉行的車(chē)輛揭幕儀式……
2010-03-22
無(wú)線(xiàn)充電 電動(dòng)車(chē)
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LED路燈是否應(yīng)該廣泛推廣成熱話(huà)題
東莞國(guó)際會(huì)展大酒店舉行的“2010年中國(guó)道路照明論壇”會(huì)議上,記者發(fā)現(xiàn),大約有80%的演講報(bào)告與LED路燈有關(guān)。2010年“十城萬(wàn)盞”工作也進(jìn)入了重要的實(shí)施階段,21個(gè)試點(diǎn)城市之外的地方政府仍然十分積極的申請(qǐng)加入試點(diǎn)城市……
2010-03-17
LED LED路燈 道路照明
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智能、靈活、高效、經(jīng)濟(jì)——泰科電子發(fā)布多款應(yīng)用工具
全球連接技術(shù)引領(lǐng)者泰科電子向市場(chǎng)發(fā)布一系列應(yīng)用工具，為零部件裝配提供智能、靈活、高效、經(jīng)濟(jì)的壓接、壓入、插件等解決方案……
2010-03-17
泰科 電動(dòng)壓入機(jī) HDI
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上海光宇睿芯：打造本土分立器件巨頭
上海光宇睿芯微電子有限公司（Sino-IC）日前在深圳舉行了新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，除了發(fā)布了一系列新的產(chǎn)品線(xiàn)，還介紹了公司產(chǎn)品市場(chǎng)策略的變化。Sino-IC總裁劉健朝透露：“在2009年，我們還是一家以過(guò)壓保護(hù)器件為主的廠(chǎng)商，從今年起我們將產(chǎn)品線(xiàn)擴(kuò)展到各種分立器件，我們的最終目標(biāo)是打造成像On Semi、Visha...
2010-03-17
Sino-IC LED 傳感器
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飛兆半導(dǎo)體推出帶USB/充電器檢測(cè)功能的便攜應(yīng)用過(guò)電壓保護(hù)器件
FAN3988具備內(nèi)置自動(dòng)檢測(cè)功能，器件通過(guò)連續(xù)監(jiān)控短路條件下的D+ / D-線(xiàn)，能夠感測(cè)是否連接USB充電器。此外，器件還通過(guò)監(jiān)控VBUS來(lái)感測(cè)過(guò)壓或者欠壓狀況。當(dāng)達(dá)到過(guò)壓閾值時(shí)，F(xiàn)AN3988立即禁用外部P溝道MOSFET。這些功能減小了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，并省去外部電路，節(jié)省了線(xiàn)路板空間。這款新型OVP器件是滿(mǎn)足...
2010-03-11
飛兆 USB/充電器 便攜 過(guò)電壓 保護(hù)器件
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PCB設(shè)計(jì)時(shí)抗ESD的方法
來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷，例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層；損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極；CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死；短路反偏的PN結(jié)；短路正向偏置的PN結(jié)；熔化有源器件內(nèi)部的焊接線(xiàn)或鋁線(xiàn)。為了消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞，需要采取...
2010-03-05
PCB設(shè)計(jì) 抗ESD 瞬態(tài)保護(hù)
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靜電放電干擾及其抑制
在電子控制設(shè)備外殼上放電是經(jīng)常見(jiàn)到的放電現(xiàn)象，放電電流流過(guò)金屬外殼，產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)，通過(guò)分布阻抗鍋臺(tái)到殼內(nèi)的電源線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)等內(nèi)部走線(xiàn)，引起誤功作。電子控制設(shè)備的信號(hào)線(xiàn)或地線(xiàn)上也可直接放電，如鍵盤(pán)或顯示裝置等接口處的放電，其干擾后果更為嚴(yán)重。本文講述靜電放電干擾及其抑制
2010-03-05
靜電 放電干擾 ESD
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