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實(shí)例分析，便攜設(shè)備如何選擇電容電感（上）
介紹了電容電感易到影響的一些參數(shù)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須了解的知識(shí)，并闡釋了何時(shí)需要為便攜式電源系統(tǒng)的最小但最高效的解決方案選擇外部元件。
2012-12-28
外部元件 電容 電感
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順絡(luò)電子多款MPH、SPH等系列電容電感新品已被知名廠商采用
順絡(luò)電子推出多款型號(hào)產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入各大芯片廠商（如高通，MTK等）的參考設(shè)計(jì)之中。如疊層結(jié)構(gòu)超大飽和電流功率電感--MPH系列、自動(dòng)化單體結(jié)構(gòu)繞線功率電感--SPH系列、片式雷電防護(hù)器件--SDVL系列、片式固態(tài)鈮電容--NC系列等電容電感新產(chǎn)品。
2012-12-28
順絡(luò)電子 電容 電感
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在LVDS 接口中加入TVS保護(hù)，防止靜電干擾
LVDS 數(shù)據(jù)線連接廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸，例如，在商用打印機(jī)或者LCD 面板 與轉(zhuǎn)接板的連接。這些應(yīng)用需要TVS保護(hù)是由于使用了敏感的IC 器件，因此在信號(hào)線增加的TVS要方便走線。
2012-12-28
LVDS 接口 TVS保護(hù) 靜電干擾
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新型時(shí)鐘開關(guān)保護(hù)器件，讓PCIe免受ESD損傷
保護(hù)敏感高速數(shù)據(jù)線路免受靜電放電(ESD)損傷是PCIe應(yīng)用的重要考慮因素。安森美半導(dǎo)體推出新的時(shí)鐘及數(shù)據(jù)、開關(guān)及保護(hù)器件,支持PCI Express應(yīng)用,新的扇出緩沖器、差分開關(guān)及穿越型封裝ESD保護(hù)器件彰顯安森美半導(dǎo)體用于服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)及ATE應(yīng)用的PCIe 3.0技術(shù)。
2012-12-28
安森美 ESD PCIe應(yīng)用
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LED保護(hù)器件持久戰(zhàn)，如何抓住機(jī)遇
保護(hù)器件不是簡(jiǎn)單具有保護(hù)功能就可以獲得認(rèn)可，而要不斷因應(yīng)市場(chǎng)需求，在保持性能不變的前提下，不斷縮小體積，朝著機(jī)器裝配的方向發(fā)展。市場(chǎng)需求總是不斷提升的，這也給我們電路保護(hù)行業(yè)帶來(lái)了機(jī)會(huì)，誰(shuí)能不斷滿足新的市場(chǎng)需求，誰(shuí)就能持續(xù)走在行業(yè)的前端。
2012-12-28
LED 保護(hù)器件 AEM
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TVS主要特性參數(shù)和運(yùn)用注意事項(xiàng)
當(dāng)TVS的兩端受到反向瞬態(tài)過(guò)壓脈沖時(shí)，能以極高的速度把兩端間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?，以吸收瞬間大電流，并將電壓箝制在預(yù)定數(shù)值，從而有效保護(hù)電路中的元器件免受損壞。本文講述了TVS器件的主要特性參數(shù)和選用注意事項(xiàng)，同時(shí)給出了TVS在電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用方法。
2012-12-28
TVS 主要特性 運(yùn)用
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從七個(gè)方面詳解電感，工程師必備
電感是電子電路技術(shù)中非常重要的器件，電感的基本作用為濾波、振蕩、延遲和陷波等，熟知電感的參數(shù)、類型和磁芯磁環(huán)，對(duì)電感的選型有很大的幫助。
2012-12-28
電感 基礎(chǔ)知識(shí) 作用 分類
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可降低成本，適合低壓高效轉(zhuǎn)換的開關(guān)穩(wěn)壓器
圣邦微電子推出的新一代同步升壓開關(guān)穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍為2.7V ~ 5.5V，工作效率高達(dá)90%以上。SGM6605的工作開關(guān)頻率為1.2MHz，推薦電感值在2.2μH ~ 10μH范圍內(nèi)，開關(guān)管內(nèi)置，從而減少了外圍元件的數(shù)目，降低了成本，非常適合低壓高效轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
2012-12-28
降低成本 高效轉(zhuǎn)換 開關(guān)穩(wěn)壓器
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中科院研制出可提升中國(guó)國(guó)產(chǎn)IC的競(jìng)爭(zhēng)力的MOSFET組件
中科院電子研究所在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個(gè)數(shù)量級(jí)以及金屬閘主動(dòng)功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出組件性能進(jìn)一步提升的22nm MOSFET 組件。
2012-12-28
中科院 MOSFET組件 22奈米
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