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貿(mào)澤和TE聯(lián)手發(fā)布新電子書，探討電動汽車和互聯(lián)交通的發(fā)展態(tài)勢
2023年12月27日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與全球知名的連接器和傳感器制造商TE Connectivity聯(lián)手發(fā)布了一本新電子書，探討電動汽車和快速發(fā)展的互聯(lián)交通的現(xiàn)況。這本新電子書重點(diǎn)介紹了一些新興工程主題，如V2X生態(tài)系統(tǒng)、5G車隊(duì)遠(yuǎn)...
2023-12-29
貿(mào)澤 TE 互聯(lián)交通
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關(guān)于電阻溫度系數(shù)、測量和結(jié)構(gòu)影響 這篇文章說透了
電阻溫度系數(shù)（TCR 或 RTC）是上述缺陷的熱能因素的特征。假設(shè)晶粒結(jié)構(gòu)沒有因極端脈沖/過載事件導(dǎo)致的高溫而改變，則當(dāng)溫度恢復(fù)到參考溫度時，這種電阻變化帶來的影響是可逆的。對于 Power Metal Strip? 和 Power Metal Plate? 產(chǎn)品，這將是一個導(dǎo)致電阻合金超過 350℃ 的溫度。
2023-12-28
電阻溫度 系數(shù) 測量 結(jié)構(gòu)
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電容在EMC中的應(yīng)用
在EMC設(shè)計中，電容的選型和布局是非常關(guān)鍵的。合適的電容選擇可以顯著提高設(shè)備的電磁兼容性，防止不同部分之間的相互干擾，同時確保設(shè)備在電磁環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
2023-12-28
電容 EMC
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使用光纖測量功率元件功率循環(huán)期間的溫度波動
本文證明，在 DUT 上實(shí)施 OpSens 光纖傳感器可以成為測量功率循環(huán)測試（尤其是交流）中結(jié)溫的一種有效且實(shí)用的方法。結(jié)果表明，在不影響轉(zhuǎn)換器正常工作的情況下，可以獲得穩(wěn)定、準(zhǔn)確的測量結(jié)果。在一篇文章中，將提供光纖實(shí)現(xiàn)和使用結(jié)溫數(shù)據(jù)估計壽命的更多細(xì)節(jié)。
2023-12-27
光纖測量 功率元件 溫度波動
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實(shí)現(xiàn)最高效的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換：深入了解Achronix JESD204C解決方案
長期以來，Achronix為不同行業(yè)的數(shù)據(jù)密集型和高帶寬應(yīng)用提供了創(chuàng)新性的FPGA產(chǎn)品和技術(shù)，并幫助客戶不斷打破性能極限。其中一些應(yīng)用需要與先進(jìn)的模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）和數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器（DAC）進(jìn)行對接——可由JESD204C完美地完成這項(xiàng)任務(wù)。
2023-12-27
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 Achronix JESD204C
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設(shè)計三相PFC請務(wù)必優(yōu)先考慮這幾點(diǎn)！
三相功率因數(shù)校正(PFC)系統(tǒng)（或也稱為有源整流或有源前端系統(tǒng)）正引起極大的關(guān)注，近年來需求急劇增加。之前我們介紹了三相功率因數(shù)校正系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)。本文為系列文章的第二部分，將主要介紹設(shè)計三相PFC時的注意事項(xiàng)。
2023-12-26
三相 PFC
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如何在下一代 MCU 應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)投影顯示
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導(dǎo)體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲器的托管按鍵，當(dāng)控制信號施加到晶閘管的輸入時，它們就會打開。當(dāng)使用直流電時，可以通過去掉電源電壓來關(guān)斷晶閘管。晶閘管的一個重大且不可避免的缺點(diǎn)是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調(diào)整開關(guān)閾值的能力。
2023-12-25
MCU 投影顯示
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什么是直流母線支撐濾波器？
在電力電子學(xué)中，直流母線是指連接電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的輸入、輸出端的部分（見下圖 1）。直流母線的主要功能是在輸入功率高于輸出功率時儲存能量，并在輸出功率需求超過輸入功率時釋放能量。直流母線應(yīng)包含一個電容器作為輔助濾波器，起到緩沖作用，將電壓紋波降至最低，并平滑和穩(wěn)定電力系統(tǒng)中整流器、...
2023-12-25
直流母線 濾波器
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功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡
眾所周知，硅（Si）材料及其基礎(chǔ)上的技術(shù)方向曾經(jīng)改變了世界。硅材料從沙子中提煉，構(gòu)筑了遠(yuǎn)比沙土城堡更精密復(fù)雜的產(chǎn)品。如今，碳化硅（SiC）材料作為一種衍生技術(shù)進(jìn)入了市場——相比硅材料，它可以實(shí)現(xiàn)更高功率等級的功率轉(zhuǎn)換、更快的開關(guān)速度、傳熱效率上也優(yōu)于硅材料。本篇博客探討了SiC材料如何...
2023-12-25
功率電子器件 硅 碳化硅
- 線繞電阻技術(shù)解析與選型策略
- 傳感器+AI+衛(wèi)星：貿(mào)澤電子農(nóng)業(yè)資源中心揭秘精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)“黑科技”
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