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超級電容器：備用電源解決方案
需要瞬時(shí)備用電源的應(yīng)用的增多促使對超級電容器的需求增加。超級電容器（supercapacitor，也稱為ultracapacitor），是具有比常規(guī)電容器存儲更多能量的能力的電化學(xué)電容器。超級電容器可以比電池更快的充電和提供能量。圖1比較了常規(guī)電容器、超級電容器、常規(guī)電池和燃料電池的功率和能量密度。
2021-02-08
超級電容器 備用電源 解決方案
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了解移動(dòng)電源充電的基本知識
移動(dòng)電源用于智能手機(jī)或平板電腦等便攜式電子產(chǎn)品的流行個(gè)人裝置，其時(shí)尚而薄的外形意味著有限的電池容量。移動(dòng)電源是便攜式二次電池，用于在無法使用交流電源時(shí)存儲能量。
2021-02-08
移動(dòng)電源 充電知識
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物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)需要高集成度和小尺寸功率轉(zhuǎn)換器件
在功率譜的中低端存在一些不太大的功率轉(zhuǎn)換要求，這在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備之類的應(yīng)用中很常見。這些應(yīng)用需要使用能夠處理適度電流水平的功率轉(zhuǎn)換IC。電流通常在數(shù)百毫安范圍，但如果板載功率放大器為了傳輸數(shù)據(jù)或視頻而存在峰值功率需求，那么電流量可能更高。因此，隨著支持眾多物聯(lián)網(wǎng)器件的無線傳感器...
2021-02-08
物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng) 高集成度 功率轉(zhuǎn)換器
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IGBT雙脈沖測試詳解
電源設(shè)備硬件主功率部分的電路性能直接影響產(chǎn)品品質(zhì)，但開發(fā)過程中，在樣機(jī)測試階段才能對其性能進(jìn)行評測。有些公司為保證產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)度，僅采取不得已的補(bǔ)救措施，產(chǎn)品不僅非最優(yōu)設(shè)計(jì)，甚至?xí)o產(chǎn)品的質(zhì)量埋下隱患。而我司在產(chǎn)品設(shè)計(jì)初期就采用IGBT雙脈沖測試，提前對硬件電路設(shè)計(jì)進(jìn)行多維度測試評...
2021-02-07
IGBT 雙脈沖測試
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開關(guān)電源設(shè)計(jì)原型的分析模擬和實(shí)驗(yàn)
環(huán)路控制是開關(guān)電源設(shè)計(jì)的一個(gè)重要部分。然而，由于各種原因，在選定主要元件后，研究往往在項(xiàng)目結(jié)束時(shí)被拋到了腦后。通過簡單的試驗(yàn)和錯(cuò)誤分析，我們有時(shí)候會(huì)覺得，如果設(shè)計(jì)能夠在示波器上實(shí)現(xiàn)可接受的瞬態(tài)響應(yīng)，那么該設(shè)計(jì)便已準(zhǔn)備好用于生產(chǎn)，但這種想法非常不明智，而且可能導(dǎo)致高昂代價(jià)。這是...
2021-02-07
開關(guān)電源 設(shè)計(jì)原型 實(shí)驗(yàn)
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搶占智能制造高地，3月4號廣州智能制造系列高峰論壇與您相約！
智能制造是數(shù)字經(jīng)濟(jì)的皇冠，必將成為各國搶占數(shù)字經(jīng)濟(jì)制高點(diǎn)的主戰(zhàn)場。作為雙循環(huán)基礎(chǔ)發(fā)力點(diǎn)，智能制造將成為提升國家整體制造業(yè)水平不可忽略的增長引擎。十九屆五中全會(huì)提出的“基本實(shí)現(xiàn)新型工業(yè)化”的目標(biāo)將進(jìn)一步加速推進(jìn)我國智能制造發(fā)展。
2021-02-05
智能制造 高峰論壇
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集成電路是如何被發(fā)明的？
也許上天有意要人類發(fā)明出集成電路（IC：Integrated Circuit），幾乎在同時(shí)，兩組人在個(gè)不知曉對方發(fā)明工作的情況下，獨(dú)立設(shè)計(jì)出幾乎相同的集成電路。
2021-02-05
集成電路 商用芯片 Ti 502
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存在互感的電感串并聯(lián)
電感器是電路中常見的重要元器件，常用在信號濾波、電能轉(zhuǎn)換、信號耦合以及磁場檢測等。它利用電磁感應(yīng)原理對流過的電流的變化產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢，兩端的電壓與電流的變化率成正比，其中的比率就是電感的重要參數(shù)：電感量，通常記作L。
2021-02-05
互感 電感串并聯(lián)
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如何準(zhǔn)確地測量芯片的電源噪聲
隨著5G、車聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的飛速發(fā)展，信號的傳輸速度越來越快，集成電路芯片的供電電壓隨之越來越小。早期芯片的供電通常是5V和3.3V，而現(xiàn)在高速IC的供電電壓已經(jīng)到了2.5V、1.8V或1.5V，有的芯片的核電壓甚至到了1V。芯片的供電電壓越小，電壓波動(dòng)的容忍度也變得越苛刻。對于這類供電電壓較小的高速芯...
2021-02-05
測試測量 芯片 電源噪聲
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