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USB3.0的物理層測(cè)試簡(jiǎn)介與難點(diǎn)分析
USB(Universal Serial Bus)即通用串行總線(xiàn)，用于把鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、打印機(jī)、掃描儀、數(shù)碼相機(jī)、MP3、U盤(pán)等外圍設(shè)備連接到計(jì)算機(jī)，它使計(jì)算機(jī)與周邊設(shè)備的接口標(biāo)準(zhǔn)化，從2000年以后，支持USB2.0版本的計(jì)算機(jī)和設(shè)備已被廣泛使用，USB2.0包括了三種速率：高速480Mbps、全速12Mbps、低速1.5Mbps。目前除了鍵...
2010-05-24
USB3.0 物理層測(cè)試 USB
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Mouser榮獲本年度Neutrik分銷(xiāo)合作伙伴獎(jiǎng)
Mansfield, Texas, USA-Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser榮獲Neutrik 2009年分銷(xiāo)合作伙伴獎(jiǎng)。Neutrick是專(zhuān)業(yè)的連接器系統(tǒng)的領(lǐng)先制造商。 Neutrick具有超過(guò)25年的研發(fā)最先進(jìn)的連接器的經(jīng)驗(yàn)。他們的產(chǎn)品范圍包括XLR連接器、插頭、插座、揚(yáng)聲器接頭、轉(zhuǎn)插板、電源連接器...
2010-05-24
Mouser Neutrik 連接器
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提高RFID系統(tǒng)數(shù)據(jù)讀取率
本文將通過(guò)對(duì)RFID系統(tǒng)基本組成和工作原理的介紹，對(duì)RFID系統(tǒng)進(jìn)行分析。結(jié)合RFID系統(tǒng)在實(shí)際應(yīng)用中遇到的問(wèn)題以及針對(duì)閱讀器識(shí)讀范圍存有盲區(qū)、不同閱讀點(diǎn)存有多余數(shù)據(jù)、閱讀器相互干擾等因素而導(dǎo)致系統(tǒng)讀取率不高的原因，提出從合理優(yōu)化硬件配置、完善軟件設(shè)計(jì)、發(fā)揮中間件作用和融合其它技術(shù)四個(gè)方...
2010-05-24
RFID 射頻識(shí)別 電子標(biāo)簽
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可重構(gòu)天線(xiàn)設(shè)計(jì)
提出了一種可用于手持移動(dòng)終端的可重構(gòu)天線(xiàn)的設(shè)計(jì)方法。該天線(xiàn)安裝有兩個(gè)RF-PIN開(kāi)關(guān)，可通過(guò)一個(gè)直流控制電路控制開(kāi)關(guān)的狀態(tài)，以使天線(xiàn)的極化方式和輻射方向圖發(fā)生變化，從而實(shí)現(xiàn)極化可重構(gòu)和方向圖可重構(gòu)。該天線(xiàn)結(jié)構(gòu)緊湊，易于與電路板集成在一起，在移動(dòng)終端中有良好的應(yīng)用價(jià)值。
2010-05-24
重構(gòu)天線(xiàn) RF-PIN開(kāi)關(guān) 射頻電流
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英飛凌第三代高速600V和1200V IGBT打破開(kāi)關(guān)和效率界限
英飛凌近日推出600V和1200V高速3（第三代）IGBT產(chǎn)品系列，適用于高頻和硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它相對(duì)于上一代器件，總關(guān)斷損耗降低35％，可滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100kHz的應(yīng)用需求。
2010-05-24
英飛凌 IGBT 開(kāi)關(guān) 高頻應(yīng)用
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英飛凌第三代高速600V和1200V IGBT打破開(kāi)關(guān)和效率界限
英飛凌近日推出600V和1200V高速3（第三代）IGBT產(chǎn)品系列，適用于高頻和硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它相對(duì)于上一代器件，總關(guān)斷損耗降低35％，可滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100kHz的應(yīng)用需求。
2010-05-24
英飛凌 IGBT 開(kāi)關(guān) 高頻應(yīng)用
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英飛凌第三代高速600V和1200V IGBT打破開(kāi)關(guān)和效率界限
英飛凌近日推出600V和1200V高速3（第三代）IGBT產(chǎn)品系列，適用于高頻和硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它相對(duì)于上一代器件，總關(guān)斷損耗降低35％，可滿(mǎn)足開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)100kHz的應(yīng)用需求。
2010-05-24
英飛凌 IGBT 開(kāi)關(guān) 高頻應(yīng)用
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瑞晶光學(xué)掩膜高吸光多晶硅太陽(yáng)能電池達(dá)領(lǐng)先水平
近日，受江西省科學(xué)技術(shù)廳委托，新余市科技局組織有關(guān)專(zhuān)家對(duì)江西瑞晶太陽(yáng)能科技有限公司承擔(dān)的江西省重點(diǎn)新產(chǎn)品計(jì)劃項(xiàng)目“光學(xué)掩膜高吸光多晶硅太陽(yáng)能電池”進(jìn)行了鑒定。經(jīng)嚴(yán)格審議，專(zhuān)家們一致認(rèn)為該產(chǎn)品性能達(dá)到了國(guó)內(nèi)同類(lèi)產(chǎn)品領(lǐng)先水平，并同意通過(guò)省級(jí)新產(chǎn)品技術(shù)鑒定。
2010-05-24
瑞晶 光學(xué)掩膜 多晶硅 太陽(yáng)能電池
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嵌入式碳片可以降低太陽(yáng)能板成本和毒性
光伏產(chǎn)業(yè)是新能源產(chǎn)業(yè)，是環(huán)境友好的零碳能源。與晶體硅電池相比，CIGS（銅銦鎵硒）和CdTe（碲化鎘）薄膜太陽(yáng)能電池具有成本低、產(chǎn)能高、可靠性高、光電轉(zhuǎn)換效率高、穩(wěn)定性好、能量回收期短、組件應(yīng)用多樣性等諸多優(yōu)勢(shì)，具有極大的成長(zhǎng)空間，但同時(shí)也面臨著很大的挑戰(zhàn)。
2010-05-24
嵌入式 碳片 太陽(yáng)能
- 機(jī)構(gòu)預(yù)警：DRAM價(jià)格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲(chǔ)原廠(chǎng)加速擴(kuò)產(chǎn)供應(yīng)HBM
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