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功率半導體包括功率二極管、功率開關器件與功率集成電路。近年來，隨著功率MOS(金屬氧化物半導體)技術的迅速發(fā)展，功率半導體的應用范圍已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制領域擴展到4C領域(計算機、通信、消費類電子產品和汽車電子)，滲透到國民經濟與國防建設的各個方面。我國擁有國際上最大的功率半導體市場，擁...
2009-12-25
功率器件 開關 功率二極管 高端
夏普將上市集成了照度傳感器的新款近接傳感器“GP2AP012A00F”。主要特點是可檢測0.1lx的低照度，外形尺寸僅為4.4mm×2.6mm×1.0mm。該公司此前產品可檢測的照度為3lx，外形尺寸為5.6mm×2.1mm×1.2mm。
夏普 集成 低照度 照度傳感器
傳感器和儀表元器件是儀器儀表與自動化系統(tǒng)最基礎元器件之一。傳感器和儀表元器件具有服務面廣、品種繁多、需求量大等特點，其技術水平和產品質量的提高，將為我國制造業(yè)信息化奠定基礎。
2009-12-24
傳感器 儀表 元器件 MEMS
2008年下半年，國際金融風暴席卷全球，以出口為主導的中國大陸電子信息產業(yè)直接受到沖擊，產品進出口受阻，導致產品產量不斷下降，到今年元月份下降到谷底。由于中國政府及時實行積極的財政政策，調整產品結構，努力擴大內需，電子信息產業(yè)從2月份開始逐漸回升。雖然在個別月份有所波動，但回升趨勢...
電子產業(yè) 數據 回顧 展望
新產品包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管，提供了低電感結構，因此提高了能源效率。該產品提供了一系列的特性，使設計人員能夠滿足不同的系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值...
東芝 低導通電阻 快速轉換 MOSFET
據國外媒體報道，Gartner研究副總Dean Freeman指出，晶圓代工支出與少數內存廠商的選擇性支出，帶動了2009下半年半導體設備市場的增長，2010年的增長主要將由上半年技術升級的帶動，2010年第3季單季增長率在產能增加前將微幅下滑，整體資本設備產業(yè)預期自2010年底起將一路大幅增長至2011年。
Gartner 全球 半導體 增長
美國科學家研發(fā)出一種可以在極端條件下使用的新型光學壓力傳感器。這種光纖傳感器不但可以測量高達1800萬帕(2620磅/平方英寸)的壓力，將感測頭放進-196°C的液態(tài)氮中或者加熱到538°C，性能也不會有明顯改變
美國 科學家 新型 光纖傳感器
螺旋電感具有1nH~100nH的寬感值范圍，采用0.045英寸x0.045英寸x0.010英寸的小尺寸外形。PSC器件同時具有低寄生電容、低至0.26Ω的DCR、高達10.2GHz的SRF，在250MHz和1000MHz下的Q值分別為13和18。
2009-12-23
Vishay 線焊組裝 PSC RF 螺旋電感器
近年來，在美國對環(huán)保項目刺激資金的投入、稅收優(yōu)惠措施延長，新融資涌入等因素的影響下，太陽能產業(yè)增長速度超過了40%，預計明年全球太陽能產業(yè)的增長將達到50%，價格將下降8%至10%，2010年前景較為樂觀。
太陽能 復蘇 增長 樂觀
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