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飛兆半導(dǎo)體推出帶USB/充電器檢測(cè)功能的便攜應(yīng)用過(guò)電壓保護(hù)器件
FAN3988具備內(nèi)置自動(dòng)檢測(cè)功能，器件通過(guò)連續(xù)監(jiān)控短路條件下的D+ / D-線，能夠感測(cè)是否連接USB充電器。此外，器件還通過(guò)監(jiān)控VBUS來(lái)感測(cè)過(guò)壓或者欠壓狀況。當(dāng)達(dá)到過(guò)壓閾值時(shí)，F(xiàn)AN3988立即禁用外部P溝道MOSFET。這些功能減小了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，并省去外部電路，節(jié)省了線路板空間。這款新型OVP器件是滿足...
2010-03-11
飛兆 USB/充電器 便攜 過(guò)電壓 保護(hù)器件
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從基礎(chǔ)到應(yīng)用全面解析無(wú)鉛焊接工藝技術(shù)
在電子制作過(guò)程中，焊接工作是必不可少的。它不但要求將元件固定在電路板上，而且要求焊點(diǎn)必須牢固、圓滑，所以焊接技術(shù)的好壞直接影響到電子制作的成功與否。而鉛（Pb），是一種有毒的金屬，對(duì)人體有害。本次半月談我們將關(guān)注無(wú)鉛焊接工藝技術(shù)的行業(yè)現(xiàn)狀，無(wú)鉛焊接工具產(chǎn)品的創(chuàng)新，無(wú)鉛焊接工藝的...
2010-03-11
基礎(chǔ) 無(wú)鉛焊接 焊接工藝 技術(shù) 測(cè)試工作坊
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ARM Cortex-M3內(nèi)核MCU又添新兵，初創(chuàng)公司主打超低功耗應(yīng)用
采用Cortex-M3內(nèi)核的MCU廠商通常關(guān)注以下幾點(diǎn)特性：更低的功耗，更高的運(yùn)算能力，更低的價(jià)格，更多的外設(shè)。日前，一家來(lái)自挪威的初創(chuàng)公司Energy Micro就主打低功耗特性，發(fā)布了新的Cortex-M3內(nèi)核MCU產(chǎn)品系列。
2010-03-11
Cortex-M3 Energy Micro MCU
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開(kāi)關(guān)晶體管。
2010-03-11
恩智浦 晶體管 SMD封裝 BISS-4
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分析師紛紛提高2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)
Semiconductor International 全球1月半導(dǎo)體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預(yù)測(cè)。為什么如此迫不及待，值得思考。
2010-03-10
半導(dǎo)體 iSuppli Gartner 電子產(chǎn)業(yè)
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恩智浦華麗轉(zhuǎn)型，搶占高性能混合信號(hào)芯片市場(chǎng)
隨著臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體廠商在低成本手機(jī)、數(shù)字電視等領(lǐng)域的SoC方案不斷占領(lǐng)市場(chǎng)份額，SoC在這些領(lǐng)域的利潤(rùn)也在不斷被拉低，不少歐美大廠逐漸放棄了這些領(lǐng)域的數(shù)字芯片業(yè)務(wù)，而轉(zhuǎn)而強(qiáng)調(diào)對(duì)設(shè)計(jì)和工藝要求更高、利潤(rùn)也更高的模擬和混合信號(hào)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
2010-03-10
混合信號(hào) 恩智浦 模擬
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OV9715 CMOS ：用于高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng)的百萬(wàn)像素汽車傳感器
OmniVision Technologies宣布其 OV9715 CMOS 圖像傳感器即將上市。該傳感器可用于360 度視圖以及其他獨(dú)立攝像頭或多攝像頭汽車視覺(jué)系統(tǒng)中。 這款 100 萬(wàn)像素的 OV9715 是一款完全達(dá)到 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的 CMOS 圖像傳感器，專為高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)而優(yōu)化， 現(xiàn)已向多家頂級(jí)汽車供應(yīng)商供貨。
2010-03-10
輔助駕駛 汽車 傳感器 OV9715 CMOS
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恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管
這些晶體管稱為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開(kāi)導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開(kāi)關(guān)時(shí)間減到絕對(duì)最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時(shí)實(shí)現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開(kāi)關(guān)晶體管使開(kāi)關(guān)和存儲(chǔ)時(shí)間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...
2010-03-10
恩智浦 新一代 高效率 低VCEsat 晶體管
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IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
IR 商用 集成 氮化鎵 功率級(jí)器件
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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