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能源電力

OmniVision Technologies推出14.6百萬像素圖像傳感器

領先的高級數(shù)字成像解決方案開發(fā)商OmniVision Technologies, Inc.今天推出了14.6百萬像素圖像傳感器，能夠提供高分辨率的靜止攝影和在每秒60幀完整的1080p高清晰度的動態(tài)影像。最新用于數(shù)碼相機/攝像機(DSC/DVC)的全新OV14810和用于移動應用OV14825皆是第一個傳感器實現(xiàn)為主流的消費電子產(chǎn)品提供最...

2010-01-07

OmniVision 圖像傳感器 OV14810

電阻市場發(fā)展前景向好 2010年需求強勁

業(yè)內(nèi)廠家認為，2010年電阻市場發(fā)展前景向好，需求強勁，預計2010年電阻市場空間仍將不斷擴大，年增長速度將保持在20%左右。

2010-01-07

電阻電子設備元器件 3G 高清市場

PMAS/PCMAS100:Mtm power推出寬輸入范圍的緊湊型電源

初級開關的PMAS/PCMAS100緊湊型模塊具有通用ac/dc輸入范圍，適合各種需要中功率的電源應用。器件提供100W恒定輸出功率，采用24V，36V和48V輸出電壓

2010-01-07

PMAS PCMAS100 Mtm power 電源

缺少熱分析將使設計心血面臨危險

“簡單解決方案”是指在設計周期中盡早實施熱分析。多早合適呢？最晚應在結構圖設計階段后立即就進行基本熱分析。工程師需下載擬采用器件的數(shù)據(jù)手冊并從熱的角度體驗一下未來將遇到的挑戰(zhàn)。本文主要介紹各種熱設計

2010-01-07

熱分析熱管散熱片

第七講示波器基礎之差分探頭

本文主要講差分測量的特點、差分探頭的應用環(huán)境及解決方案

2010-01-07

示波器探頭差分基礎

SiB455EDK：Vishay 推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產(chǎn)品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)最好的P溝道MOSFET的導通電阻減小了一半。

2010-01-06

SiB455EDK Vishay P溝道第三代 TrenchFET 功率MOSFET

LQH88P_38系列：Murata推出支持高達8A額定電流的功率電感

Murata推出LQH88P_38系列功率電感，支持高達8A額定電流。這些電感尺寸為8x8mm(3131尺寸)，低高度僅為3.8mm（典型值），是專為DC-DC轉換器設計，用于平面TV，機頂盒，記錄裝置，無線基站和其它電子消費產(chǎn)品應用。

2010-01-06

LQH88P Murata 額定電流功率電感

新經(jīng)濟時代電子信息業(yè)呈現(xiàn)兩大創(chuàng)新發(fā)展規(guī)律

電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的逐級遞增規(guī)律表明，電子元器件技術的每一次創(chuàng)新突破，不僅使電子元器件產(chǎn)業(yè)本身產(chǎn)生一次跨越式發(fā)展，而且推動直接利用新型電子元器件的電子整機更新?lián)Q代，使這些直接相關的電子整機產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)更大的發(fā)展，進而帶動國家經(jīng)濟與世界經(jīng)濟走向繁榮。

2010-01-06

電子信息元器件集成電路創(chuàng)新發(fā)展規(guī)律

綠色、能效將持續(xù)引領2010半導體產(chǎn)業(yè)

根據(jù)iSuppli的調(diào)查報告，雖然全球半導體的營收將連續(xù)兩年呈現(xiàn)負成長，但是第四季的YOY(year-over-year)預計會開始成長，這可以說是半導體產(chǎn)業(yè)復蘇的一個景象。iSuppli預期2009年全球半導體銷售額僅將較去年減少16.5％。

2010-01-06

綠色能效持續(xù)引領半導體產(chǎn)業(yè)