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2012年全球半導(dǎo)體制造裝置市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到438億美元
國(guó)際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(huì)（SEMI）在“SEMICON West 2011”（2011年7月12～14日，美國(guó)舊金山）上發(fā)布了半導(dǎo)體制造裝置市場(chǎng)的預(yù)測(cè)。
2011-07-15
半導(dǎo)體 裝置市場(chǎng) 預(yù)測(cè)值 市場(chǎng)規(guī)模
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中國(guó)市場(chǎng)需求加溫 多晶硅價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)
現(xiàn)貨市場(chǎng)多晶硅價(jià)格仍維持上漲的態(tài)勢(shì)，目前主要成交價(jià)落在$55/kg之間，相關(guān)廠商表示，多晶硅現(xiàn)貨價(jià)格漲勢(shì)強(qiáng)勁，主因在于大陸市場(chǎng)需求加溫。另一方面，由于華東地區(qū)面臨限電的壓力，將使得多晶硅廠未來的產(chǎn)出受限。
2011-07-15
多晶硅 多晶硅價(jià)格 外延片
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PowerTrench MOSFET優(yōu)化同步整流方案
被稱為PowerTrench MOSFET的新型中壓功率MOSFET，針對(duì)同步整流進(jìn)行了高度優(yōu)化，可為服務(wù)器電源或電信整流器提供更高的效率和功率密度。
2011-07-14
PowerTrench MOSFET 整流器 MOSFET
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互連設(shè)計(jì)中的功率完整性
清晰了解每一種因素是成功實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)內(nèi)功率完整性和安全性設(shè)計(jì)的關(guān)鍵所在，而這也有助于簡(jiǎn)化整體設(shè)計(jì)過程。本文介紹了互連設(shè)計(jì)中影響設(shè)計(jì)密度和承載功率的關(guān)鍵因素。
2011-07-14
互連設(shè)計(jì) 功率完整性 連接器
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2011年5月全球半導(dǎo)體銷售額僅增長(zhǎng)1.8% 出現(xiàn)停滯和衰退
美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)（Semiconductor Industry Association，SIA）發(fā)布的資料顯示，2011年5月份的全球半導(dǎo)體銷售額為250億300萬美元（3個(gè)月的移動(dòng)平均值。下同）。比上年同月僅增長(zhǎng)1.3％，與上個(gè)月相比，也只增長(zhǎng)1.8％。
2011-07-14
半導(dǎo)體 平板PC 電子書 電子產(chǎn)品
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Solarbuzz：光伏設(shè)備明年訂單驟降
國(guó)際光伏行業(yè)研究機(jī)構(gòu)Solarbuzz 7月12日在上海發(fā)布光伏設(shè)備季報(bào)顯示，用于晶硅鑄錠到組件和薄膜面板制造的光伏設(shè)備資金支出預(yù)計(jì)在2012年迅速下降至76億美金，相較于2011年預(yù)期創(chuàng)紀(jì)錄的142億美金年度降幅為47%。這將影響光伏設(shè)備廠商在2011年下半年的營(yíng)收和對(duì)2012年業(yè)績(jī)的預(yù)期。
2011-07-14
Solarbuzz 光伏設(shè)備 晶硅
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CHT-GANYMEDE:CISSOID發(fā)布的二極管可承受80V反向電壓
高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，推出了CHT-GANYMEDE“木衛(wèi)三”，一高溫80伏雙串列小信號(hào)二極管裝在一個(gè)小型密封的TO-18金屬封裝中。這個(gè)新的器件是由兩個(gè)二極管串聯(lián)連接而成，可以承受80V反向電壓，在攝氏225度時(shí)最大正向電流為300mA并適用攝氏-55度至攝氏225度工作。這雙二極管是一種通用分立元件，...
2011-07-14
小信號(hào)二極管 CHT-GANYMEDE 反向電壓 整流
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淡季不淡 多家PCB營(yíng)收創(chuàng)新高
印刷電路板（PCB）廠商陸續(xù)公布6月營(yíng)收，包括軟板廠的臺(tái)郡、上游設(shè)備廠牧德以及通訊板廠先豐、IC載板景碩等均再刷新紀(jì)錄。
2011-07-14
印刷電路板 PCB
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MOSFET的UIS及雪崩能量解析
許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問題，同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
2011-07-14
MOSFET 雪崩能量 UIS
- 突破效率極限：降壓-升壓穩(wěn)壓器直通模式技術(shù)解析
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